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Si7898DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.0
200
0.5
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
I D = 250 μ A
160
120
80
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
10 μ s
10
1
0.1
0.01
Limited by
R DS(on)
T C = 25 °C
Single Pulse
100
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
100 s, DC
0.01
0.1
1
1 0
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71873
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
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